SIPAR混合ICP系统
SIPAR混合ICP系统多工艺低损伤低温沉积与蚀刻系统主要特点与优势:多进程无缝低损伤等离子体处理紧凑且经济SENTECH SIPAR将ICPECVD、PEALD、ICP-RIE和原子层蚀刻(ALE)技术整合
SIPAR混合ICP系统多工艺低损伤低温沉积与蚀刻系统主要特点与优势:多进程无缝低损伤等离子体处理紧凑且经济SENTECH SIPAR将ICPECVD、PEALD、ICP-RIE和原子层蚀刻(ALE)技术整合
AL实时监控器激光椭圆仪SENTECH AL 实时监测仪是一款经过验证的光学诊断工具,能够实现单次 ALD 和 ALE 循环的超高分辨率工艺开发。主要特点与优势快速工艺开发与优化保存前
西·皮尔德等离子体增强原子层沉积系统SENTECH SI PEALD 使敏感基底和层在低温下实现均匀且贴合的涂层。样品表面提供高通量的活性气体,无需紫外线或离子轰击。主要特
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Depolab 200 PECVD 开放盖系统Depolab 200是基础的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,适用于用于蚀刻掩膜、膜和电隔离薄膜等多种用途的介电薄膜沉积。主要特点与优势:成本效
SI 500 D ICPECVD系统感应耦合(IC)PECVD系统,SENTECH SI 500 D用于高密度、低离子能和低压等离子体沉积,以及低损伤、低温沉积用于钝化层。主要特点与优势:卓越的高密度等离子体
SI 500ALE系统作为SI 500的延伸,SI 500 ALE在低工作压力和低ICP功率下提供稳定等离子体,实现低损伤蚀刻并实现精确射频控制。主要特点与优势:利用PTSA源实现精确的低离子能量/
国际单位制500 CCP带有HE后侧冷却的RIE系统一种带氦反冷却的导电耦合等离子体蚀刻工具,用于RIE模式下基底加工。主要特点与优势:卓越的材料蚀刻灵活性工艺稳定性极佳极佳的均
SI 591紧凑型RIE等离子体系统SENTECH SI 591紧凑型RIE等离子体蚀刻系统带负载锁,是一种针对氯基和氟基RIE的紧凑型解决方案。主要特点与优势:工艺灵活性小巧且模块化高SENTECH
蚀刻实验室200RIE开放式等离子体系统RIE等离子体蚀刻系统Etchlab 200具有成本效益高的直接加载优势。主要特点与优势:成本效益可升级性SENTECH 控制软件SENTECH Etchlab 200
SI 500 C低温ICP-RIE系统使用SI 500 C的低温蚀刻是感应耦合等离子体(ICP)处理的前沿主要特点与优势:低损伤低温蚀刻利用低温工艺进行深硅蚀刻SENTECH专有等离子体源技术动态温
SI 500ICP-RIE系统SENTECH SI 500 ICP-RIE高端等离子体刻蚀系统采用感应耦合等离子体(ICP)源,具有低离子能量,实现低损伤的蚀刻和纳米结构。主要特点与优势:低损伤ICP-RIE蚀刻简